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FRAM的海水深度记录仪
来源:电子产品世界 作者:国家海洋技术中心 门雅彬 武东生 李冠宇 时间:2007-12-11 发布人:卢春妙
摘要: 设计了一种以铁电存储器FM20L08为非易失性存储器,C8051F020为数据采集核心的海水深度自动测量仪。 关键词: 海水深度测量;FM20L08;C8051F020 引言 海洋的深度是海洋水体的一个重要参数。知道海洋的深度,就可防止海面航行的船只搁浅、触礁。潜艇在海底活动时,测量海洋深度可利用海底地形作屏障以避免被搜索,可使对方的讯号接收仪器收不到潜艇发出的噪音。在笔者所做的一个课题中,直升飞机从空中投掷测量仪器到海表面,仪器从海表面下沉至海底后,自动上浮至海水表面。该项目要求研制一个海水深度记录仪,记录上述过程中测量仪器在海水中的深度变化。测量仪器自动上浮至海面后,打捞并回放测量数据。深度数据要求每秒采样100次,具有非易失性。测量数据通过串口向PC机回放。 测量的基本原理如下式所示: P=rgh+P0 (1) 其中P是指仪器所受到的绝对压力,r是指海水密度(常数),g是指当地的重力加速度(常数),h是指仪器下降的深度,P0是指当时的大气压力(短时间认为恒定)。所以,只要测出仪器受到的压力,根据式(1)就很容易计算出仪器下降的深度。仪器在海水中的位置越深,受到的压力越大。 系统硬件设计 根据系统设计要求,海水的深度数据采集频率要求至少100Hz,连续采集时间为5分钟以上。以分辨率为12位的ADC计算,一次采集的数据量至少为2×100×5×60=60000B。针对系统数据采集量大、速度快、爆发性强的特点,采用如下总体设计方案:主控制器采用了美国Silicon Laboratories公司的高性能微控制器C8051F020。它具有与8051完全兼容的CIP-51微控制器内核,采用高速流水线结构(25 MIPS),大多数指令执行时间为1~2 时钟周期;具有64 KB可在系统编程FLASH 和大容量内部SRAM,具有外部存储器接口。非易失性存储器采用美国Ramtron公司的FM20L08铁电存储器。与其它类型的非易失性存储器相比,FRAM铁电存储器具有读写次数多、读写速度快、功耗低、无延时和不用擦除写操作的特点,在功能上可以完全替代SRAM。系统硬件框图如图1所示。
电源
虽然C8051F020内部有2.43V的基准电压源。但是测试结果表明其输出电压随温度波动较大,影响测量结果的准确性。为了提高测量精度,系统采用了Maxim公司的低温漂电压基准芯片MAX6325,MAX6325是低温度系数(<1ppm/°C)、低噪声(1.5mVp-p)的电压基准,它具有±0.02% 初始精度,是高精度数据采集系统的理想选择。由于压力传感器的输出电压范围是DC1~5V,而MAX6325输出的电压基准是2.50V。因而必须对压力传感器输出电压进行衰减,以达到和基准电压的匹配。实现这个功能最简单的方法是直接用两个电阻进行分压,但是由于传感器具有一定的输出阻抗,直接匹配分压电阻相当于将传感器输出阻抗与这两个电阻并联,会造成输入A/D的采样电压不准确。正确的方法是在压力传感器的输出之后加一级运算放大器增加输入阻抗,再在运放的输出级并联分压电阻。考虑到系统只有5V电压并且传感器的输出电压在1~5V之间,同时也为了减少器件的数目,缩小占板面积,运算放大器选用了OPA340。OPA340是单电源轨至轨输入和输出运算放大器。OPA340的工作电压可低至2.5V,它允许的最低输入为-500mV,最高输入为可高于电源500mV。它具有良好的动态效应,静态电流仅为750mA。压力传感器的输出电压经OPA340和分压网络进行1/2分压后,送C8051F020的片内12位A/D进行信号采集。
C8051F020使用高位端口(P4~P7)与FM20L08进行接口。FM20L08新增内部电压监控器驱动LVL(Low Voltage Lockout)信号,它接至MCU的INT0,用于监控电源的供电情况,当电源电压下降到临界值以下时,LVL引脚输出低电压信号,显示电路处于写保护状态,在MCU的INT0中断服务程序中复位MCU,这样存储器可以自动阻止误读写和防止存储页面数据的破坏。FM20L08的片选信号是由C8051F020的读写信号相与来控制的,只要读写信号任何一个变低,则片选信号有效。C8051F020的最大寻址空间为64K,而要求它能够访问128KB的地址空间,最简单有效的方法就是使用一个I/O位控制FM20L08的地址线A16。当A16 为0是选择FRAM的前半部分,当A16为1时,选择FRAM的后半部分。
结语 ·上一条:离子迁移谱仪嵌入式系统的设计
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